TWI649858B

一種非揮發性記憶單元,包括半導體基底、第一OD區域、用於形成抹除閘極區的第二OD區域,隔離第一OD區域及第二OD區域的溝渠絕緣區域。選擇電晶體設置在第一OD區上。

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一種非揮發性記憶單元,包括半導體基底、第一OD區域、用於形成抹除閘極區的第二OD區域,隔離第一OD區域及第二OD區域的溝渠絕緣區域。選擇電晶體設置在第一OD區上。

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