Chapter 5 The Field | 私立大學五星教授網

圖5.14: NMOS 電晶體操作在飽和區時的iD − vGS 特性。iD − vOV 特. 性可以用重新標示水平軸的方式得到，即把原點移到vGS = Vtn 。

VDSS. 飽和區. 線性區. 若VDS繼續增加到使得VGD =Vp，或寫成. 靠近汲極的通道剛好. 完全被夾止，n形區被分成兩邊，這時的VDS記做VDSS。 p. GS. DS. V. V. V. −. =.

上述的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應（英語：channel ...

vDS>vDS(sat) ：飽和區：理想MOSFET 有固定之D 極電流. ✧ I-V 曲線(n-MOSFET) ... 利用二次方程式的求解公式. 由於VDSD = V0 = 0.349 V < VGSD – VTND = 5 – 1 = 4 ...

JFET之汲極特性曲線​ 註： 1. N通道的電流ID = IDS與P通道的電流ID = ISD，兩者實際上的電流方向應該要相反。 2. 在飽和區時，電流ID的值受到電壓VGS影響很大，符合電壓控 ...

» 飽和區：理想MOSFET有固定之D極電流. » BJT之飽和指C極電流不再隨B極電流. 增加且 ... ☞已知Q點、假設飽和→飽和公式求. V. GS→VS→RS. 及V. D→RD→驗證飽和. ☞為 ...

2020年9月16日 — ... MOSFET可以看做一个电流源饱和的电流可以通过这个公式计算出来。这个公式怎么得出的不是我们现在关注的对象，是由MOSFET本身的材料性质决定的。 在 ...

和JFET 類似，MOSFET 是利用閘極偏壓控制源汲極間導通特性的元件，而且兩者之電特性也十分. 相像，不過一般而言MOSFET 的閘極漏電流會比JFET小。(圖8)是NMOS在飽和區的典型 ...