6 Photolithography | 私立大學五星教授網

GDS圖檔送至光罩製作單位後，須註明圖案的範圍與邊界座標、最小線寬，並指定 透光(Clear)與不透光(Dark)區域。 Clear表示製作的光罩繪圖的區域為可透光，而 Dark表示繪圖 ...

1 概述 · 2 光阻 · 3 步驟. 3.1 基板的準備; 3.2 光阻的塗抹; 3.3 軟烤; 3.4 曝光; 3.5 顯影; 3.6 硬烤; 3.7 蝕刻或離子佈植; 3.8 光阻的去除 · 4 曝光系統 · 5 優點和缺點 ...

2023年7月3日 — 在這個過程中，會將有二氧化矽絕緣層的矽晶圓塗上光阻，並於上方套上光罩（特定位置中有洞），透過紫外光照射，被光照過的光阻會變得容易溶解，將特定位置的光阻 ...

光罩設計步驟：. 1.以2D 的繪圖方式，繪製幾何圖形. 的電子電路圖。 2. 滿足外部輸入及輸出信號連接，以. 最小的面積設計每一個電子元件。

第七章: 微影製程. • 暫時在晶圓上塗佈光阻劑. • 將設計圖案轉移至光阻劑. • 為IC製程中最重要之步驟. • 占晶圓總製程時間的40 ~50%. 光阻劑. • 光敏感物質.

第一步: 脱水(DEHYDRATION),用加热法去掉晶 圆的水分. 俯视图 侧面图 Page 13 Litho 涂胶的步骤 第2 步: 粘附(ADHERSION),用粘附济(HMDS)涂 在晶圆表面以增加粘附性. 第5 ...

微影製程是將電路圖案，透過已刻好圖案的光罩及光阻，「轉印」到晶圓上的過程。舉例來說，在已有一層二氧化矽薄膜的晶圓上（見下圖），我們希望在特定位置蝕刻出一個 ...

•敘述微影製程(photolithography)的順序. •列出四種對準(alignment)和曝光 ... •光阻必須能容許較寬製程條件. •塗佈(Coating), 旋轉(spinning), 烘. 烤(baking) 顯影 ...