化合物半導體

2007年7月12日—其中化合物半導體是由鎵、銦、鋁等Ⅲ族及砷、磷等Ⅴ族元素化合物構成,其中以砷化鎵技術較成熟,應用也較廣,一般也慣用以GaAs來代替化合物半導體的名稱。

化合物半導體

2007年7月12日 — 其中化合物半導體是由鎵、銦、鋁等Ⅲ族及砷、磷等Ⅴ族元素化合物構成,其中以砷化鎵技術較成熟,應用也較廣,一般也慣用以GaAs來代替化合物半導體的名稱。

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