[問題] 半導體物理DIBL 與body effect 差異 | 私立大學五星教授網

2020年7月30日 — Body effect: 在body施加比S極更低的電壓空乏區往通道延伸空乏區變大使閥值電壓(Vt)變大short channel effect:在D極施加高電壓D極的空乏區變大通道變 ...

2020年8月9日 — 以NMOS為例） Body effect： 可以想成S的電壓較高（相較於SB都解Gnd)，會從通道吸走一些電子，因此G需要吸引更多的電子才能維持反轉通道（Vt上升），所以Vg要 ...

2020年8月8日 — 以NMOS為例） Body effect： 可以想成S的電壓較高（相較於SB都解Gnd)，會從通道吸走一些電子，因此G需要吸引更多的電子才能維持反轉通道（Vt上升），所以Vg要 ...

2016年9月26日 — 如題，這兩個效應都是空乏區往通道延伸，為什麼前者導致閥值電壓下降，後者則是上升？ 谷歌大神查很久，只有一個老外有問，但是沒看到答案-- ※ 發信站: 批踢 ...

2009年11月3日 — [電路圖] http://wwwc.moex.gov.tw/examnew1/92/17/315300.pdf 第三題[市面解法] 通道長度調變:因為Vgd逆偏，使空乏區變大，造成通道長度變短，id變大.

2020年7月29日 — Body effect: 在body施加比S極更低的電壓空乏區往通道延伸空乏區變大使閥值電壓(Vt)變大short channel effect:在D極施加高電壓D極的空乏區變大通道變 ...

2009年1月5日 — ... 通道長度(Leff)與有效通道寬度(Weff)有關， 這稱做短通道與窄通道效應。 : 7.穿透效應? tunneling effect 當原子中的電子，獲得足夠的能量，且鄰近亦 ...

2023年6月11日 — Lg縮小時遇到的不理想效應，統稱為短通道效應(SCE short channel effect)。包含臨界電壓下降(Vth roll-off)；閘極遇電流穿遂、臨界電壓漂移、多晶矽參 ...

2019年3月28日 — 具體而言，熱載子效應是指載子在足夠大的電場時，只需要短短的距離，就能藉由impact ionization 產生電子電洞對，進而使得基板產生漏電流。然後這些載 ...