薄膜量測標準

根據2005年國際半導體技術準則(ITRS2005),閘極介電層的等效厚度至少應縮減至1.2nm(2007),等效薄膜厚度3σ的變異需控制小於±4nm。

薄膜量測標準

根據2005年國際半 導體技術準則(ITRS 2005),閘極介電層的等 效厚度至少應縮減至1.2nm (2007),等效薄膜 厚度3σ的變異需控制小於±4nm。

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