新世代場效電晶體及薄膜電晶體 | 私立大學五星教授網

為了解決這些問題，高介電常數介電層（high dielectric constant，high-k）已被用來取代二氧化矽，成為目前主流的絕緣層材料。 相較於二氧化矽的物理結構，高介電常數的材料特性可以形成更薄的絕源層，卻又能阻擋電荷的穿隧，進而降低漏電機制的發生。

2008年6月20日 — High k能減少閘極漏往基極的電流，可節省晶片的功耗用電，使晶片更省電運作。 High k材質既然能提供更佳的絕緣性，那麼SOI的絕緣層也可以使用，將二氧化矽換成 ...

High-k材料，如HfO2 ZrO2及TiO2，天生具有超過二氧化矽3.9的介電常數或k值。k值越高，電晶體之電容值也越高，使得電晶體能正確的切換於”開”或”關”狀態 ...

由 李薰 著作 — 當我們以高介電質取代二氧化矽，由於材料的介電質變大，在為固定電. 容大小的情況下，我們可以將絕緣層厚度增加，而由於高介電絕緣層材料的厚度較大，垂直. 電場控制能力與電子 ...

本文旨在介紹其技術背景、電性需求、. 材料選擇的考量、相關的製程整合，以及目前論文與專利的相關研究成果。 關鍵詞. 介電係數(Dielectric Constant)；閘極介層(Gate ...

2024年7月2日 — High K材料介绍. 高介电常数材料或称high-K材料，k即介电常数，衡量材料储存电荷能力。按介电常数的高低分为低介电（low-K）材料和高介电（high-K）材料。

High-k意指高介電常數，是用以衡量一種材料能儲存多少電荷。 空氣是此一常數的參考點，其k值為1。 High-k材料，如HfO2、ZrO2及TiO2，具有超過二 ...

介電質的用途相當廣泛。介電質的電傳導能力很低，再加上具備有很好的介電強度（dielectric strength）性質，就可以用來製造電絕緣體。另外介電質可被高度電極化，是優良的電容器 ...

所以使用高介電常數( high-k ) 的材料及使用金屬閘極來取代二氧化矽是必需的。於是使用高介電常數材料作為絕緣層，同時閘極絕緣層實際厚度與電性等效厚度便成現今所需解決的 ...