摻雜(半導體) | 私立大學五星教授網

p = 電洞濃度，n = 自由電子濃度. = 電洞移動率， = 電子移動率，E = 電場. = 電 ... ▫ 接面電容的公式可寫成更一般. 的型式，其中m為一常數，稱. 為漸變係數.

在常見的Neaman 固態電子學教科書中，電子濃度（$n-equiv N/V$）的推導是藉由自由電子氣體模型的能階密度所類比得到的。我希望能在這篇文章，由半古典電子動力學模型、 ...

摻雜物濃度對於半導體最直接的影響在於其載流子濃度。在熱平衡的狀態下，一個未經摻雜的本徵半導體，電子與空穴的濃度相等，如下列公式所示：.

... 電子濃度則增高106倍，同. 時電洞濃度為本質濃度的10-6倍。 •同樣地若摻雜濃度較本質濃度高106倍的受子，電洞濃度則增高106倍，. 同時導電電子濃度降為本質濃度的10-6倍。

Carrier concentration (載子濃度): Electron concentration (電子濃度), n. Hole concentration (電洞濃度), p. ◇. For a practical semiconductor: n = NC⋅ F½(. ) & p ...

矽摻雜磷原子，濃度為3 x 1016( 個／ cm3)。求室溫下，電子與電洞的濃度各. 為多少？ 解答. 加入雜物磷的濃度3 x 1016( 個／ cm3) 為自由電子的濃度，. 即n = 3 x 1016 ...

電子濃度常以n表示，電洞. 濃度常以p表示。若為少數載子，則常加入半導體的形式為 ... 面的臨界電壓公式就都可使用。反之，如果是短通道元件，則需考慮電場. 的二維或三維 ...

一半導體矽晶圓，其中均勻摻雜砷，濃度為1016 cm-3，試計算出：. (a)摻雜原子和矽原子的比例，. (b)在室溫時導電電子與電洞的濃度，. (c)導電載體濃度和沒有摻雜矽的載體 ...