化學氣相沉積原理 | 私立大學五星教授網

化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）是一種常見的薄膜成長技術，通常用於固體表面上製造具有特定性質和厚度的薄膜。 使用化學氣相沉積設備的過程涉及將氣態前體化學物質輸送到基板表面，然後使其在基板表面上發生化學反應，形成所需的薄膜。

半導體產業使用此技術來成長薄膜。 典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。

就理論上來看，是將兩種或兩種以上的氣態原物料導入到一個反應室內，使之產生化學反應，形成一種新的物料，沉積到晶片表面上。如澱積氮化矽膜(Si3N4)便是由矽烷和氮反應所形成 ...

CVD 化學氣相沉積（CVD）為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露於一種或多種揮發性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用於在真空環境中製造高 ...

反應氣體在反應器的主氣流裏，藉著反應氣體在主氣流 及試片表面間的濃度差，以擴散的方式，經過邊界層傳遞到 試片的表面。 到達試片表面的反應氣體分子，將有一部份將 被 ...

化學的氣體或蒸汽在固體表面反應，在固體 化學的氣體或蒸汽在固體表面反應在固體 表面上生成固態的薄膜，其他負產物為易揮 發的而從表面離開。

這種技術的原理是利用碳等離子體的化學蒸氣，將碳原子沉積在鑽石基底上，逐步形成完整的人造鑽石結晶。