半導體物理極限 | 私立大學五星教授網

為提升半導體晶片速度、增加元件積集密度（Intergrated circuit density）並降低功耗，半導體元件持續不斷的微縮，進而引發許多問題，諸如短通道效應（short-channel ...

2019年6月28日 — ... 半導體生產技術在現有的條件下降逼近物理極限。未來是繼續最佳化還是走向其他路線，都要由2nm技術實現的進度來定。 當製程突破物理極限之後，再想 ...

2024年3月8日 — 然而，隨著製程節點的微縮，半導體產業也面臨著前所未有的挑戰。物理極限的逼近，使得傳統的微縮方式難以為繼，晶片設計和製造的門檻也越來越高。 在 ...

而且製程也越來越接近半導體的物理極限，將會難以再縮小下去。 由於整合度越高，電晶體的價格越便宜，這樣也就引出了摩爾定律的經濟學效益，在20世紀60年代初，一個電 ...

而被譽為有機會突破物理極限的二維材料具有多項優越之特性，惟其結構品質一直以來為探測的難題，如何以非破壞的方式，精準分析半導體元件內各層超薄薄膜的晶體結構、界面型 ...

2023年3月27日 — 近年來，開始有人討論「摩爾定律已死」話題，原因之一就是當電晶體微縮到一定程度後，終有一天會達到物理極限。 ... 可以確定的是，半導體巨頭們正戮力克服 ...

2024年3月6日 — 這一預測展現了IMEC對半導體技術發展潛力的信心，為業界指明了一條突破物理極限的可行之路。 圖說：IMEC的規劃中要在2036年將製程推往0.2nm。/圖片來源： ...

文／麥軒誠、林執晰、曾介勇｜ 台灣大學物理學系、電機工程學系學生. 自從19 世紀第一台電腦出現1開始，科學家們對電子科技的改良便從未停歇過，短短的100 多年間，便 ...