半導體顯影劑成分 | 私立大學五星教授網

光阻劑應用的配方成分20 多年以來，SACHEM 一直是用於電子應用的顯影劑電子配方成分的領先供應商。大部分顯影劑已使用四甲基氫氧化銨(TMAH) 和四丁基氫氧化銨(TBAH) ...

四甲基氫氧化銨（TMAH或TMAOH）是一種分子式為N(CH3)4+ OH− 的季銨鹼，也是這類化合物中最簡單的一種。這種物質只在五水合物時是一種相對穩定的固體形態。

2023年4月5日 — G-line/I-line光阻. G-line/I-line光阻劑的主要組成為酚醛樹脂(Novolac Resin)與感光物重氮萘(Diazo-naphtho-quinon; DNQ)。酚醛樹脂在鹼性顯影劑 ...

顯影液（Developer）為TMAH 25%以超純水稀釋成2.38%所製成，長春此產品為TOK委託代工，顯影劑中添加之乳化劑為TOK特殊配方。 ... 正型光阻之顯影劑，於半導體黃光製程中顯影 ...

光阻劑（英語：photoresist），亦稱為光阻或光阻劑，是指經過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射後，溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料，是微影製程中 ...

光阻劑（也稱為光阻），主要應用於電鍍或蝕刻等工業製程中，光阻劑一般為高分子、溶劑、光感劑等成分組成的光敏材料，並透過光反應刻上結構圖形，是影響半導體製程生產效率 ...

... 顯影液中溶解速率產生極大差異，顯影劑將易溶之部分溶解洗去，以達成顯影之目的。習知技術中，顯影劑通常為鹼性溶液，其成分可為氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈉(NAOH)或碳酸 ...

正光阻的成分有三種：溶劑、樹脂、光活性化合物。溶劑可讓光阻保持容液狀態使光阻可以旋舖方式塗佈在基板上。樹脂提供光阻的粘著性、抗蝕刻能力，並可被鹼性顯影液分解。

2020年8月26日 — 和紫外線搭配的為g-line(436nm)和i-line(365nm)光阻劑，和深紫外線(DUV)搭配的為KrF(248nm)與ArF(193nm)光阻劑，超紫外線(EUV)光阻劑為目前最新技術之光阻 ...