由章詠湟著作—原子層沉積(atomiclayerdeposition,ALD)技術.是在1970年代由芬蘭的TuomoSuntola博士和他.的工作團隊(1)為了製作高品質、大面積的電致發光.,2021年8月11日—原子層沉積（AtomicLayerDeposition,ALD）係藉由表面獨特自我侷限反應來成長高階梯覆蓋與大面積均勻性之薄膜。可用於奈米級或原子級薄膜沉積，調控超薄 ...,原子層沈積(AtomicLayerDeposition,ALD)是一種可以將材料一層一層成長的薄膜製程技術，一般常見的ALD製程由四個步驟組成，以成長材料AB為例(圖一)，(a)首先將含有A成分 ...,ALD係利用前驅物氣體與基板表面所...
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