曝光顯影蝕刻 | 私立大學五星教授網

照光之後，被光照過的光阻會變得容易溶解，接下來把該處的光阻以顯影液溶解掉，然後進行蝕刻，就可以只蝕刻到該特定位置的二氧化矽，其他地方的二氧化矽會被光阻保護著。等到 ...

微影製程（英語：photolithography 或optical lithography，中國大陸稱為光刻工藝）是半導體元件製造製程中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光阻層上刻畫幾何圖形 ...

經曝光後變可溶. ▫. 經顯影製程，曝光部分. 溶解. ▫. 解析度較佳. ▫ 光敏感物質. ▫ 暫時塗佈在晶圓上表面. ▫ 經由曝光製程將設計圖案轉移其上. ▫ 非常類似於塗佈在照相機 ...

• 經曝光之光阻變成交連之高分子，交連之. 高分子有較佳之抗化學蝕刻能力. • 未曝光部分將溶於顯影劑. 缺點. • 由於光阻膨脹使解析度較差. • 環境及安全因素--主要溶劑為二 ...

半導體黃光製程透過曝光和顯影製程將光罩線路結構投射在光阻層上，再藉由蝕刻製程將轉移到基材上的線路進行蝕刻並清洗。而MIKASA專為實驗機關設計製造的對準曝光機、 ...

光罩的原理區分為兩個領域：. 1.光罩的圖像可供轉印至晶片. 表面。 2.經由光阻劑的感光作用，將. 光罩的圖像轉印至晶片表面。 Page 3 ...

(3) 利用微影製程，將所曝光的圖案，. 使用顯影劑顯示圖案。 (4) 再用蝕刻鉻蝕刻液，將未受光阻阻. 擋的部分蝕刻，蝕刻時間約十五分. 鐘。 (5) 最後用丙酮將光阻剝離。 光 ...

光罩在要求的公差之內，在晶圓上對準，然後輻射照在晶圓. 之上，阻劑影像顯影（development），阻劑下層被蝕刻掉。 ... 顯影，曝光的部分被除去。負光阻以二甲苯（xylene，C6H4(CH3)2） ...