2023年9月5日—目前碳化矽晶圓的主要規格有直徑、厚度、主平邊長度、次平邊長度、總厚度偏差、彎曲度與翹曲度、電阻率與缺陷數。磊晶片規格則有磊晶層厚度、厚度均勻性、 ...,2023年10月23日—第三類半導體是以氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等寬帶半導體原料為主，上一次介紹了氮化鎵，這次來看看碳化矽（SiC）。由於SiC晶圓成本遠高於矽晶圓 ...,規格.碳化矽磊晶晶圓：.4吋、6吋.氮化鋁磊晶晶圓：.4吋(碳化矽基板);6吋(矽基板)、6吋(碳化矽基板)、6吋(陶瓷基板);8吋(矽基板)、8吋(陶瓷基板) ...,2022年1月3日—要生產出碳化矽（SiC）單...
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