2023年1月10日—氧化鎵(Ga2O3)被稱為第四類半導體的原因是，其超寬能隙的特性，相較於第三類半導體(化合物半導體)碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)，將使材料能承受更高電壓的 ...,2021年7月29日—最近氧化鎵半導體被討論的熱度是非常高，還有人稱之為第四代半導體，有別於第一代的矽(Si)，第二代的砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)，第三代的碳化矽(SiC) ...,2023年1月12日—目前領先全球的「氧化鎵(Ga2O3)」第四代半導體主要為日本，NovelCrystal以及FLOSFIA這兩大新創公司，這兩著都具有提供4吋氧化鎵(Ga2O3)晶圓的能力。,2023年12月4日—電動車、新...
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