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硒化銅銦鎵(Copper Indium Gallium Diselenide，簡稱為CIGS)為薄膜太陽能電池一種，是薄膜太陽能電池中轉換效率最佳者，可使用軟性基板，且吸收波長寬廣，介於UV至IR之間(300-1300nm)，相較於矽基可接收更大範圍的光源；並且在生產過程中消耗的能源為傳統矽基太陽能電池的一半，由於具有 ...

薄膜太陽能電池. • 依材料分類. • 矽薄膜: 非晶矽、微晶矽、低溫多晶矽。 • 化合物半導體薄膜: 鍗化鎘(CdTe)、銅銦鎵硒(CIGS)、. 銅鋅錫硫(CZTS)、砷化鎵。

硒化銅銦鎵(Copper Indium Gallium Diselenide，簡稱為CIGS)為薄膜太陽能電池一種，其與矽晶太陽能電池相比，只需極小部份的原料，而轉換效率可以達到20%，可使用軟性 ...

CIGS薄膜太陽電池元件的效率已達20%，但目前高效率的元件仍以真空製程為主，如共蒸鍍及濺鍍硒化。共蒸鍍有放大均勻性及材料使用率等考量，而濺鍍硒化 ...

由 林祐全 著作 · 2014 — 摘要銅銦鎵二硒化物(CIGS) 是I-III-VI2族黃銅礦半導體，用於製造便宜的光伏元件。CIGS薄膜為應用於高效率吸收膜太陽能電池最被看好的材料，CIGS帶隙能量為1.02–1.69 eV ...

2008年12月23日 — CIGS 薄膜太陽能電池的基本結構如圖三所示，最底層為基材(Substrate)，通常使用的材料為玻璃(Glass)或是具有可撓性的金屬箔（如不銹鋼箔、銅箔、鋁合金箔 ...

2009年3月19日 — 銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池光電轉換效率，目前居薄膜太陽能電池之首，其各界最高轉換效率達20~24%，台系CIGS廠目標則大多在10~19%間。

由 曾百亨 著作 — CIGS 兩種材料都能符合要求。 CdTe 屬於II-VI 族化合物，CIGS 則為I-III-VI2. 族化合物。I-III-VI2 族化合物可視為是由II-VI 族. 所衍化而來，亦即第二族元素以第一族(Cu ...

由 蕭育仁 著作 · 2010 — CIGS薄膜太陽能電池具有低成本、重量輕、可撓曲、壽命長等特色與優點，故受到相當多的注目。國家奈米實驗室擁有多腔體濺鍍研發系統及高精準度蒸鍍系統，可以涵蓋大部分 ...

中文. 論文頁數: 86. 論文摘要薄膜太陽能電池銅銦鎵硒四元素(簡稱CIGS)，半導體材料常用於製備薄膜太陽能電池之吸收層。CIGS四元素化合物半導體，為直接能隙材料，具有黃 ...