euv光阻劑 | 私立大學五星教授網

2023年4月5日 — 目前，EUV光阻材料仍以化學增幅型光阻為主。相較於KrF、ArF光阻曝光之光子吸收以光酸產生劑分子為主，EUV曝光機制不同，光子可被光 ...

光阻劑（英語：photoresist），亦稱為光阻或光阻劑，是指經過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射後，溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料，是微影製程中 ...

2020年8月26日 — 和紫外線搭配的為g-line(436nm)和i-line(365nm)光阻劑，和深紫外線(DUV)搭配的為KrF(248nm)與ArF(193nm)光阻劑，超紫外線(EUV)光阻劑為目前最新技術之光阻 ...

針對支援3nm邏輯節點以後的EUV微影、光阻劑之最新技術與未來趨勢，解說其基礎知識、要求特性、面對的課題和解決對策等。同時將詳細說明在EUV光阻中備受關注的金屬光阻之 ...

新型的光阻劑是專為需要兼具靈敏度與機械穩定度的EUV微影而設計，但研究人員們也希望新的光阻劑能改善線邊緣粗糙度，這一點在10nm及其以下先進製程變得越來越重要。

2023年3月10日 — 光學微影的製程非常繁複且精細，從光源、電路設計、數值孔徑、介質、光阻劑、顯影劑、光罩潔淨技術、設備的震動、蝕刻⋯⋯等，任何一個步驟的技術改良、 ...

2022年10月13日 — 光阻劑是半導體曝光中關鍵材料，目前EUV 光阻主要供應商為信越化學、東京應用化學和JSR，另外還包含住友化學、FUJI FILM 等。

住友化學以基礎深厚的化學合成技術為根本，開發完整的光阻產品線，包含i-line、KrF、ArF和最先端的EUV製程所需光阻，業界最先端的EUV製程也可對應。 ... 光阻是微影製程中 ...

本課題首先敘述發展路線圖，然後針對支援3nm邏輯節點以後的EUV微影、光阻劑之最新技術與未來趨勢，解說其基礎知識、要求特性、面對的課題和解決對策等。同時將詳細說明在 ...