mbe磊晶 | 私立大學五星教授網

分子束磊晶（英語：Molecular beam epitaxy, MBE）是使單晶材料生長的一種方法，由貝爾實驗室的J. R. 亞瑟（J. R. Arthur）和卓以和（Alfred Y. Cho）於1960年代後期 ...

本文介紹三五族化合物半導體分子束磊晶系統的裝置設備，包括真空系統、分子束. 源、基板操控器與即時量測設備。本文同時也介紹了兩項近期的發展，包括含銻化合物半導. 體與 ...

2019年3月3日 — 現行化合物半導體商用磊晶製程技術，大致可分成MOCVD（有機金屬氣相沉積法）和MBE（分子束磊晶技術）。若以成長技術而論，MOCVD的成長條件由氣相方法進行 ...

MBE的成長過程有反射高能量電子繞射振盪現象，使其具有在磊晶成長時監控磊晶層成長厚度的能力，其控制精確度，可以達到單原子層，因此可以輕易地成長超結晶格子結構。 MBE ...

分子束磊晶(molecular beam epitaxy, MBE) 技. 術是由貝爾實驗室的卓以和博士以及Dr. John. Arthur 於1968 年首度研發成功(1)。分子束磊晶技術. 乃是在高真空度(壓力< 10 ...

分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy, MBE),. 是一種近二十年來發展極為快速的技術,尤其在半導. 體材料上更有著驚人的成就。MBE本質上是一種具. 空蒸鍍技術,一般的真空蒸鍍 ...

2001年6月6日 — 砷化鎵為一種化合物半導體，目前在磊晶的技術上有液相磊晶法（LPE）、有基金屬化學汽相沉積（MOCVD）及分子束磊晶（MBE）等方式。LPE主要用在發光二極體（ ...

可依照需求，將MBE系統配置為線型（in-line）或是枚葉型（cluster）之形式; 可依材料特性（wetting、clogging等），選擇恰當的Effusion Cell蒸發源; 眾多可擴充項目：電漿 ...