第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析 | 私立大學五星教授網

POPULAR熱門專區 ... 碳化矽(SiC)相較於矽(Si)，由於具備10倍的擊穿電場、3倍的能隙寬度、50倍的功率密度、3倍的熱導率，使得它比矽或其他化合物半導體，更適合作為電力電子 ...

2022年7月18日 — 事實上，生產SiC基板最困難的地方在於長晶技術，現有製程不僅複雜且晶體生長緩慢，欲大量製造難度極高。市場上具有SiC晶圓量產能力的公司，仍僅少數幾家 ...

國立中山大學晶體研究中心創全國大專校院之先，目前正自行研發晶體生長設備及相關技術，透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體，是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的 ...

2023年10月26日 — 環球晶圓在本屆光電展展出了8吋碳化矽（SiC）晶體長晶技術、6吋與8吋SiC晶片的超薄加工能力，以及在氮化鎵（GaN）磊晶領域等具高附加價值的利基產品，展現 ...

2021年9月24日 — 目前全球碳化矽由美日廠商寡占，其中的關鍵因素之一為美日廠掌握基板料源，而基板的生產中，又以長晶難度最高，以傳統的矽材來說，通常費時約3-4天即可以 ...

2023年10月24日 — 格棋化合物半導體(GCCS) 今(24) 日宣佈，公司掌握碳化矽(SiC) 單晶晶體成長技術、同時具備6 吋和8 吋晶體製程能力，近期完成新台幣15 億元的A 輪募資 ...

2022年1月3日 — ... 長晶（生長碳化矽單晶）做起，作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐，在高溫且密閉的空間使其昇華，讓晶源粉末的蒸汽冷凝後，附著在碳化矽晶種上。 碳化矽的長晶 ...