簡介四族半導體的穿隧效應與穿隧電晶體

由廖仁宏著作·2016—量子穿隧場效電晶體理論上能克服傳統金氧半場效電晶體在常溫下所面臨的次臨界斜率的限制。在理想的電路中,量子穿隧場效電晶體具有較低的次臨界電壓,因而操作電壓較小 ...

簡介四族半導體的穿隧效應與穿隧電晶體

由 廖仁宏 著作 · 2016 — 量子穿隧場效電晶體理論上能克服傳統金氧半場效電晶體在常溫下所面臨的次臨界斜率的限制。在理想的電路中,量子穿隧場效電晶體具有較低的次臨界電壓,因而操作電壓較小 ...

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