矽分子絕緣體使半導體先進製程推向極限 | 私立大學五星教授網

半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。

在量子力學裏，量子穿隧效應（Quantum tunneling effect）指的是，像電子等微觀粒子能夠穿入或穿越位勢壘的量子行為，儘管位勢壘的高度大於粒子的總能量。

在量子力學裏，量子穿隧效應（Quantum tunneling effect）指的是，像电子等微观粒子能夠穿入或穿越位勢壘的量子行為，儘管位勢壘的高度大於粒子的總能量。

由 廖仁宏 著作 · 2016 — 量子穿隧場效電晶體理論上能克服傳統金氧半場效電晶體在常溫下所面臨的次臨界斜率的限制。在理想的電路中，量子穿隧場效電晶體具有較低的次臨界電壓，因而操作電壓較小 ...

在量子力学里，量子隧穿效应（Quantum tunneling effect）指的是，像电子等微观粒子能够穿入或穿越位势垒的量子行为，尽管位势垒的高度大于粒子的总能量。

粒子就有機率可以穿透這道障壁，這就是所謂的「量子穿隧效應（Quantum Tunneling Effect）」。 ... 以半導體為基礎的電晶體，工作頻率通常不超過上百GHz ，在時間上也就是十 ...

2023年1月27日 — 穿隧接點（Tunnel junction）是在奈米科技中，根據量子穿隧效應所設計的電子元件，它由一個三明治結構組成，兩側為導體，中間夾著絕緣體。我們都知道電子 ...

2018年6月22日 — 當兩個金屬電極之間的間隙，窄到電子都無法被其阻擋層所抵擋時，就會產生漏電問題，即為量子穿隧效應。隨著間隙不斷地縮小，這種電子穿隧傳導的機率會 ...

1973年時江崎玲於奈和布賴恩·約瑟夫森因為發現上述半導體中的量子穿隧效應而獲得諾貝爾物理獎。 ... 穿隧的障礙，所以能夠增加量子穿隧的電流。隧道二極體常用於頻率轉換器 ...