金屬氧化物半導體場效電晶體

多晶矽的熔點比大多數的金屬高,而在現代的半導體製程中習慣在高溫下沉積閘極材料以增進元件效能。金屬的熔點低,將會影響製程所能使用的溫度上限。不過多晶矽雖然在 ...

金屬氧化物半導體場效電晶體

多晶矽的熔點比大多數的金屬高,而在現代的半導體製程中習慣在高溫下沉積閘極材料以增進元件效能。金屬的熔點低,將會影響製程所能使用的溫度上限。 不過多晶矽雖然在 ...

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