MOCVD有機金屬氣相沉積法 | 私立大學五星教授網

2020年10月13日 — MOCVD的基本原理如圖一所示，最重要的是中央噴嘴，氣體會從中央噴嘴噴出來。基板放在承載盤上，承載盤會旋轉。因為中央噴嘴和基板是靠得很近的，所以 ...

本文以深入淺出之方式，介紹有機金屬氣相磊晶(MOVPE) 系統之構造及其基本原理。自. 1968 年Manasevit 發明此種磊晶技術以來，由於MOVPE 系統可以大量成長化合物半導體 ...

2022年5月13日 — 透過有機金屬化學氣相沉積法，在基板上生. 長半導體薄膜的方式，同時透過機台即時監. 控，精確控制磊晶層，完成砷化鎵、磷化銦、.

Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or vapor phase epitaxy (MOVPE) is a critical process for preparation of compound semiconductor thin-films.

簡介 编辑 ... MOCVD成長薄膜時，主要將載流氣體(Carrier gas)通過有機金屬反應源的容器時，將反應源的飽和蒸氣帶至反應腔中與其它反應氣體混合，然後在被加熱的基板上面發生 ...

將氮化鎵沉積於基板上作為白光LED元件，目前常用的製程方式為金屬有機化學氣相沉積（metal organic chemical vapor deposition, MOCVD），如圖1所示，其原理是將晶圓 ...

科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」，必須在非常嚴格的條件下才能成長出來，目前在生產線上用來成長磊晶最常用的方法就是使用「有機金屬化學氣相沉積(MOCVD：Metal ...