碳化矽晶圓製程與磊晶品質分析 | 私立大學五星教授網

其工. 作原理是利用分子沉積在石英晶體上時石英晶體的. 質量改變，石英振盪器的振盪頻率會隨之改變。經. 由輸入被蒸鍍物質的密度，以(1) 式換算後可得到. 薄膜厚度，由公式 ...

磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶 ...

本文以深入淺出之方式，介紹有機金屬氣相磊晶(MOVPE) 系統之構造及其基本原理。自. 1968 年Manasevit 發明此種磊晶技術以來，由於MOVPE 系統可以大量成長化合物半導體 ...

2023年9月5日 — 原理為將高純碳化矽粉末原料放置於石墨坩堝中，在負壓或惰性氣體(低壓氬氣)的環境下加熱至1,800˚C以上，使碳化矽粉末原料因受熱分解昇華成Si、C、Si2C及 ...

2022年1月3日 — 通常在磊晶過程中，會經過2個步驟：先在基板表面沉積化學物質，而後才會在基板上形成薄膜，俗稱磊晶。 就難度來講，碳化矽磊晶的挑戰相對較小，因為碳化矽 ...

• 磊晶層為一生長在單晶基片上單晶層. → 基片和上層間存在一特定之晶體關係. 100} ... 磊晶對多晶. 成核: G = 4 πσ o r2 + 4/3 π g v r3. 表面能 bulk energy. 勻相成核的.