晶圓薄膜epi

•磊晶層為一生長在單晶基片上單晶層.→基片和上層間存在一特定之晶體關係.100}...磊晶對多晶.成核:G=4πσor2+4/3πgvr3.表面能bulkenergy.勻相成核的.

晶圓薄膜epi

• 磊晶層為一生長在單晶基片上單晶層. → 基片和上層間存在一特定之晶體關係. 100} ... 磊晶對多晶. 成核: G = 4 πσ o r2 + 4/3 π g v r3. 表面能 bulk energy. 勻相成核的.

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