積體電路後段導線材料與沈積製程之發展近況

無電鍍的基本原理是利用催化表面以降.低陽極、陰極之氧化/還原半反應能障,亦即底.層材料必須具有催化還原劑(HCHO)與銅源.(Cu²+)的能力。銅膜的沈積主要是利用甲醛.

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無電鍍的基本原理是利用催化表面以降. 低陽極、陰極之氧化/還原半反應能障,亦即底. 層材料必須具有催化還原劑(HCHO)與銅源. (Cu²+)的能力。銅膜的沈積主要是利用甲醛.

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