SiCMOSFET在高溫環境下具有優異的工作特性,與IGBT相比,可簡化現有散熱措施。此外,由於開關損耗非常低,系統可在比IGBT開關可支援頻率更高的頻率下運行。如能提高開關 ...
SiC MOSFET在高溫環境下具有優異的工作特性,與IGBT相比,可簡化現有散熱措施。此外,由於開關損耗非常低,系統可在比IGBT開關可支援頻率更高的頻率下運行。如能提高開關 ...【中華醫事科技大學職業安全衛生系】謝正悅專任教授評價
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