使用SiC MOSFET的好處是什麼?

SiCMOSFET在高溫環境下具有優異的工作特性,與IGBT相比,可簡化現有散熱措施。此外,由於開關損耗非常低,系統可在比IGBT開關可支援頻率更高的頻率下運行。如能提高開關 ...

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SiC MOSFET在高溫環境下具有優異的工作特性,與IGBT相比,可簡化現有散熱措施。此外,由於開關損耗非常低,系統可在比IGBT開關可支援頻率更高的頻率下運行。如能提高開關 ...

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