火熱的第三代半導體碳化矽(SiC),到底火在那裡?

2023年1月6日—由於碳化矽禁帶寬度是矽的3倍,導熱率為矽的4-5倍,擊穿電壓為矽的8倍,電子飽和漂移速率為矽的2倍,在高電壓、大功率工作環境下其性能更加優異,且電流 ...

火熱的第三代半導體碳化矽(SiC),到底火在那裡?

2023年1月6日 — 由於碳化矽禁帶寬度是矽的3倍,導熱率為矽的4-5倍,擊穿電壓為矽的8倍,電子飽和漂移速率為矽的2倍,在高電壓、大功率工作環境下其性能更加優異,且電流 ...

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