HCI Hot carrier injection

由於載子被束縛在金屬氧化物半導體場效電晶體的閘極電介質層中,電晶體的開關性能可以被永久地改變,熱載子注入是一種可能對半導體元件可靠性產生負面影響的機制。

HCI Hot carrier injection

由於載子被束縛在金屬氧化物半導體場效電晶體的閘極電介質層中,電晶體的開關性能可以被永久地改變,熱載子注入是一種可能對半導體元件可靠性產生負面影響的機制。

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