TW201712874A

...半導體領域(NR),電子電流的一部分會被抽出。換言之,具有抽出HCI時產生的熱電子之效果。如此,依據上述模擬結果,亦可證明在本實施形態的半導體裝置中可改善HCI特性。

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... 半導體領域(NR),電子電流的一部分會被抽出。換言之,具有抽出HCI時產生的熱電子之效果。 如此,依據上述模擬結果,亦可證明在本實施形態的半導體裝置中可改善HCI特性。

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