其次,我們也對元件的漏電流特性加以探討。我們發現,在常溫之下,傳統結構的蕭特基阻障多晶矽薄膜電晶體其漏電機制是由場發射(fieldemission)和熱激發放射(thermionic ...
其次,我們也對元件的漏電流特性加以探討。我們發現,在常溫之下,傳統結構的蕭特基阻障多晶矽薄膜電晶體其漏電機制是由場發射(field emission)和熱激發放射(thermionic ...
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