元件物理基礎The scale of things Crystal Structure ... | 私立大學五星教授網

短通道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾納米、甚至幾納米量級時，電晶體出現的一些效應。 這些效應主要包括閾值電壓隨著溝道長度降低而降低、漏致勢壘降低、載流子表面散射、速度飽和、離子化和熱電子效應。

在深次微米元件中，短通道效應為一重要之課題，像元件臨界電壓值(Threshold Voltage，Vth) 會因通道縮短而下降(Roll-off)、汲極導致能障降低(Drain Induce Barrier Lowing ...

2020年7月30日 — Body effect: 在body施加比S極更低的電壓空乏區往通道延伸空乏區變大使閥值電壓(Vt)變大short channel effect:在D極施加高電壓D極的空乏區變大通道變 ...

2023年6月11日 — Lg縮小時遇到的不理想效應，統稱為短通道效應(SCE short channel effect)。包含臨界電壓下降(Vth roll-off)；閘極遇電流穿遂、臨界電壓漂移、多晶矽參 ...

短沟道效应（英语：short-channel effects）是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。这些效应主要包括阈值电压 ...

後，各種因通道長度變小所衍生的問題便會發生，這種現象稱為短通道效應. （Short Channel Effects). – 假如我們保持MOS所有參數設計不變，緊縮短MOS的通道長度設計(通道長度.

2020年8月9日 — （以NMOS為例） Body effect： 可以想成S的電壓較高（相較於SB都解Gnd)，會從通道吸走一些電子，因此G需要吸引更多的電子才能維持反轉通道（Vt上升）， ...

2024年4月1日 — 1. 簡介 短通道效應是指電子穿越晶體管通道時產生的一些不利影響，對元件或電路的性能造成損壞。 本文將介紹短通道效應以及改善閘極控制的方法。

2019年5月30日 — 製程持續微縮後，通道也變短，載子在閘極沒有施加電壓時，也會從源極漏到汲極，這便是漏電流，伴隨而來的是焦爾效應產生的熱。這兩個主要的負面效應就叫短通道 ...