由章詠湟著作·被引用1次—原子層沉積(atomiclayerdeposition,ALD)技術.是在1970年代由芬蘭的TuomoSuntola博士和他.的工作團隊(1)為了製作高品質、大面積的電致發光.,原子層沈積(AtomicLayerDeposition,ALD)是一種可以將材料一層一層成長的薄膜製程技術，一般常見的ALD製程由四個步驟組成，以成長材料AB為例(圖一)，(a)首先將含有A成分 ...,原子層沉積(AtomicLayerDeposition，ALD)最早稱為原子層磊晶(AtomicLayerEpitaxy，ALE)，ALD也是一種化學氣相沉積技術(CVD)，與傳統CVD的差異在於：ALD是將一個傳統CVD ...,原子層沉積的主要反應...
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