2020年7月30日—Bodyeffect:在body施加比S極更低的電壓空乏區往通道延伸空乏區變大使閥值電壓(Vt)變大shortchanneleffect:在D極施加高電壓D極的空乏區變大通道變 ...,2020年8月9日—以NMOS為例）Bodyeffect：可以想成S的電壓較高（相較於SB都解Gnd)，會從通道吸走一些電子，因此G需要吸引更多的電子才能維持反轉通道（Vt上升），所以Vg要 ...,2020年8月8日—以NMOS為例）Bodyeffect：可以想成S的電壓較高（相較於SB都解Gnd)，會從通道吸走一些電子，因此G需要吸引更多的電子才能維持反轉通道（Vt上升），所以Vg要 ...,2016年9月26日—如題...
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