2019年8月5日—這類金屬閘極和高介電常數的絕緣氧化物都是多元素交錯沉積的層狀結構，其中每層材料的厚度極薄，通常都在1-2nm以下，因此在層狀厚度、介面平整度和成份 ...,2022年1月21日—淺談鰭式晶片架構原理與發展.廣告（請繼續閱讀本文）.隨著摩爾定律（Moore's...high-k／metalgate），介電層的k值愈大，氧化層電容（Cox）愈大，電 ...,2008年6月20日—Highk能減少閘極漏往基極的電流，可節省晶片的功耗用電，使晶片更省電運作。Highk材質既然能提供更佳的絕緣性，那麼SOI的絕緣層也可以使用，將二氧化矽 ...,2018年8月8日—價鍵，因...
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