為達效能提昇之目標，電介質材料的日趨薄化是趨勢，但當閘極電介質變薄，其絕緣品質便會降低，漏電流也會發生;假使不加以控制，會使得電晶體脫離完全的”開”及”關”狀態而進入”開”及”漏電”的情況。,2008年6月20日—Highk能減少閘極漏往基極的電流，可節省晶片的功耗用電，使晶片更省電運作。Highk材質既然能提供更佳的絕緣性，那麼SOI的絕緣層也可以使用，將二氧化矽換成 ...,該設備使用HFAlO材料的High-K.絕緣膜，閘極漏電流比使用HFSiO膜降.低約2位數。至於最令人擔心的HFAlO.電子移動度低的弱點，則採用氮化（如.圖二）與氧化處理 ......
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