,2001年6月6日—一般而言，MOCVD適合生產HBT（異質接面雙載電晶體）元件，而MBE技術則大多生產pHEMT（假型高速電子場效電晶體）元件，目前採用MOCVD生產磊晶的地區主要 ...,2019年3月3日—若以量產速率分析MOCVD和MBE磊晶設備的優缺點，MOCVD為氣相方式導入反應腔體，其速度較MBE快1.5倍（MBE需時間加熱形成分子束）；但以磊晶品質來說 ...,2013年6月7日—若細分三五族磊晶晶片製造上初分為MBE及MOCVD兩種主流方法，基礎概念上，MBE是透過兩種元素經放射後變為化合物，全球主要供應商為IQE和英特磊；而MOCVD ...,,2020年9月13日—...MOCVD...
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