,2022年7月18日—前言碳化矽(SiC)功率電子是加速電動車時代到來的主要動能。以SiCMOSFET取代目前的SiIGBT，不僅能使切換損失降低80%以上，大幅縮減電力移轉時的能源損耗 ...,2021年8月9日—包括SiC在內的第三代半導體產業鏈包括基板→磊晶→設計→製造→封裝，SiC元件成本高的一大原因就是SiC基板製造困難…第三代半導體也稱為寬能隙(WBG)半導體 ...,2022年1月3日—長成晶柱的碳化矽晶錠，首先會切割成晶片，經過機械研磨、化學侵蝕，將表面磨得光滑如一面鏡子，最後成為積體電路（IC）基板。目前主流的碳化矽基板為6吋 ...,2023年9月5日—碳化...
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