化学气相沉积 | 私立大學五星教授網

化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）是一種常見的薄膜成長技術，通常用於固體表面上製造具有特定性質和厚度的薄膜。 使用化學氣相沉積設備的過程涉及將氣態前體化學物質輸送到基板表面，然後使其在基板表面上發生化學反應，形成所需的薄膜。

典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但 ...

2011年11月22日 — 一個典型的化學氣相沉積法，是將我們所使用的基底(substrate)，暴露於欲合成之材料的前驅物蒸氣當中，常見的基底如矽、金屬或金屬化合物；當前驅物蒸氣 ...

CVD 化學氣相沉積（CVD）為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露於一種或多種揮發性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用於在真空環境 ...

典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但 ...

CVD 是基板暴露在一種或多種揮發性前驅物的一個製程；這些前驅物會在基板表面上發生反應或分解，以產生所需的薄膜沉積物。CVD 製程可用於廣泛的應用領域。

2014年5月2日 — 化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition；CVD)是半導體工業中應用最廣泛、用來沉積多種物料的技術，包括大部分絕緣物料、大多數金屬物料和金屬合金 ...

確認至少四種化學氣相沉積(CVD) 的應. 用. • 描述CVD 製程順序. • 列舉兩種沉積區並描述它們和溫度之間. 的關係. • 列舉兩種介電質薄膜. 舉出兩種最常使用在介電質化學 ...

2023年12月4日 — ... (CVD)，PVD的原理是材料在高真空的環境中，從高純度靶材濺射到基板上；CVD的原理是化學前驅物被通入製程反應腔體進行化學反應，並將副產物沉積在基板上。