,POPULAR熱門專區...碳化矽(SiC)相較於矽(Si)，由於具備10倍的擊穿電場、3倍的能隙寬度、50倍的功率密度、3倍的熱導率，使得它比矽或其他化合物半導體，更適合作為電力電子 ...,2022年7月18日—事實上，生產SiC基板最困難的地方在於長晶技術，現有製程不僅複雜且晶體生長緩慢，欲大量製造難度極高。市場上具有SiC晶圓量產能力的公司，仍僅少數幾家 ...,國立中山大學晶體研究中心創全國大專校院之先，目前正自行研發晶體生長設備及相關技術，透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體，是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的 ...,2023...
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