,其工.作原理是利用分子沉積在石英晶體上時石英晶體的.質量改變，石英振盪器的振盪頻率會隨之改變。經.由輸入被蒸鍍物質的密度，以(1)式換算後可得到.薄膜厚度，由公式 ...,磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（EpitaxialGrowth），或指以磊晶 ...,本文以深入淺出之方式，介紹有機金屬氣相磊晶(MOVPE)系統之構造及其基本原理。自.1968年Manasevit發明此種磊晶技術以來，由於MOVPE系統可以大量成長化合物半導體 ...,2023年9月5日—原理為將高...
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