,半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunnelingeffect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。,在量子力學裏，量子穿隧效應（Quantumtunnelingeffect）指的是，像電子等微觀粒子能夠穿入或穿越位勢壘的量子行為，儘管位勢壘的高度大於粒子的總能量。,在量子力學裏，量子穿隧效應（Quantumtunnelingeffect）指的是，像电子等微观粒子能夠穿入或穿越位勢壘的量子行為，儘管位勢壘的高度大於粒子的總能量。,由廖仁宏著作·2016—量子穿隧場效電晶體理論上能克服傳統金氧半場效電...
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